湖北系统级封装测试

SiP还具有以下更多优势：降低成本 – 通常伴随着小型化，降低成本是一个受欢迎的副作用，尽管在某些情况下SiP是有限的。当对大批量组件应用规模经济时，成本节约开始显现，但只限于此。其他可能影响成本的因素包括装配成本、PCB设计成本和离散 BOM（物料清单）开销，这些因素都会受到很大影响，具体取决于系统。良率和可制造性 – 作为一个不断发展的概念，如果有效地利用SiP专业知识，从模塑料选择，基板选择和热机械建模，可制造性和产量可以较大程度上提高。在电源、车载通讯方面也开始进行了 SiP 探索和开发实践。湖北系统级封装测试

除了2D和3D的封装结构外，另一种以多功能性基板整合组件的方式，也可纳入SiP的范围。此技术主要是将不同组件内藏于多功能基板中，亦可视为是SiP的概念，达到功能整合的目的。不同的芯片，排列方式，与不同内部结合技术搭配，使SiP 的封装形态产生多样化的组合，并可按照客户或产品的需求加以客制化或弹性生产。SiP技术路线表明，越来越多的半导体芯片和封装将彼此堆叠，以实现更深层次的3D封装。图2.19 是8芯片堆叠SiP，将现有多芯片封装结合在一个堆叠中。微晶片的减薄化是SiP增长面对的重要技术挑战。现在用于生产200mm和300mm微晶片的焊接设备可处理厚度为50um的晶片，因此允许更密集地堆叠芯片。甘肃系统级封装价位SiP系统级封装技术将处理芯片、存储芯片、被动元件、连接器、天线等多功能器件整合在同一基板上。

晶圆级封装（WLP）：1、定义，在晶圆原有状态下重新布线，然后用树脂密封，再植入锡球引脚，然后划片将其切割成芯片，从而制造出真实芯片大小的封装。注：重新布线是指在后段制程中，在芯片表面形成新的布线层。2、优势，传统封装中，将芯片装进封装中的时候，封装的尺寸都要大于芯片尺寸。WLP技术的优势是能够实现几乎与芯片尺寸一样大小的封装。不只芯片是批量化制造，而且封装也是批量化制造，可以较大程度上降低成本。WLP技术使用倒装焊技术（FCB），所以被称为FBGA（Flip Chip类型的BGA），芯片被称为晶圆级CSP（Chip Size Package）。工艺流程，晶圆级封装工艺流程：① 再布线工程（形成重新布线层的层间绝缘膜[中间介质层]）；② 形成通孔和重新布线层（用来连接芯片和外部端子）；③ 形成铜柱，并在铜柱上面生成凸点；④ 用树脂密封，再形成焊球并用划片机切割成所需的芯片。

SiP具有以下优势：降低成本 – 通常伴随着小型化，降低成本是一个受欢迎的副作用，尽管在某些情况下SiP是有限的。当对大批量组件应用规模经济时，成本节约开始显现，但只限于此。其他可能影响成本的因素包括装配成本、PCB设计成本和离散 BOM（物料清单）开销，这些因素都会受到很大影响，具体取决于系统。良率和可制造性 – 作为一个不断发展的概念，如果有效地利用SiP专业知识，从模塑料选择，基板选择和热机械建模，可制造性和产量可以较大程度上提高。SiP系统级封装以其更小、薄、轻和更多功能的竞争力，为芯片和器件整合提供了新的可能性。

3D封装结构的主要优点是使数据传输率更高。对于具有 GHz 级信号传输的高性能应用，导体损耗和介电损耗会引起信号衰减，并导致低压差分信号中的眼图不清晰。信号走线设计的足够宽以抵消GHz传输的集肤效应，但走线的物理尺寸，包括横截面尺寸和介电层厚度都要精确制作，以更好的与spice模型模拟相互匹配。另一方面，晶圆工艺的进步伴随着主要电压较低的器件，这导致噪声容限更小，较终导致对噪声的敏感性增加。散布在芯片上的倒装凸块可作为具有稳定参考电压电平的先进芯片的稳定电源传输系统。构成SiP技术的要素是封装载体与组装工艺。湖北系统级封装测试

汽车电子里的 SiP 应用正在逐渐增加。湖北系统级封装测试

系统级封装的简短历史，在1980年代，SiP以多芯片模块的形式提供。它们不是简单的将芯片放在印刷电路板上，而是通过将芯片组合到单个封装中来降低成本和缩短电信号需要传输的距离，通过引线键合进行连接的。半导体开发和发展的主要驱动力是集成。从SSI（小规模集成 - 单个芯片上的几个晶体管）开始，该行业已经转向MSI（中等规模集成 - 单个芯片上数百个晶体管），LSI（大规模集成 - 单个芯片上数万个晶体管），ULSI（超大规模集成 - 单个芯片上超过一百万个晶体管），VLSI（超大规模集成 - 单个芯片上数十亿个晶体管），然后是WSI（晶圆级集成 - 整体）晶圆成为单个超级芯片）。所有这些都是物理集成指标，没有考虑所需的功能集成。因此，出现了几个术语来填补空白，例如ASIC（专门使用集成电路）和SoC（片上系统），它们将重点转移到更多的系统集成上。湖北系统级封装测试